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      IGBT的检测方法
      来源:上海汇信   发布日期:2014-02-05   点击次数:1762 

      IGBT的定义:
             IGBT是绝缘门极双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor)的代号。也称为绝缘门极晶体管。由于IGBT内具有寄生晶闸管,所以也称作绝缘门极晶闸管。由于它将功率场效应管(MOSFET)和功率晶体管(GTR)的优点集于一身,既具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点,又有通态电压低、耐压高的优点。因此,很适合作焊接电源的逆变开关用。给逆变焊接电源的发展带来更广阔前景。
      绝缘门极双极型晶体管本质上是一个场效应晶体管。只是在漏极和漏区之间多了一个P型层。因此,国际电工委员会IEC规定:源极引出的电极端子(含电极端)称为发射极E,漏极引出的电极端称为集电极C。
      N沟道IGBT的图形符号如下:



      IGBT的开关作用是通过施加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使其开通。反之,施加反向栅极电压消除沟道,流过反向基极电流,使其关断。
      IGBT的检测方法:
      移去IGBT的连线,观察IGBT的外观是否有损坏。
      检查IGBT的G1-E1和G2-E2之间是否导通,如果导通,则IGBT损坏。

      用9V电池给门极G(+)和发射极E(-)施加正电压,测量集电极C和发射极E的导通情况。
      用9V电池给门极G(+)和发射极E(-)施加反向电压,以使IGBT关断。
      用指针式万用表测量E1~C1、E2~C2间的导通情况,应为E1→C1、E2→C2方向单向导通。

       

       

       
       
       
       
       
       
       

       

       

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