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          臺產松術ME1180低功耗全極性霍爾效應開關傳感器元件IC芯片
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          臺產松術ME1180全極微功耗霍爾元件

          臺產松術ME1180全極微功耗霍爾元件
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          臺產松術ME1180全極微功耗霍爾元件

          ME1180/1180低功耗全極性霍爾效應開關傳感器元件IC芯片

          ME1180全極霍爾效應傳感器IC由混合信號CMOS技術制造。ITin-企業高級斬波穩定技術以提供準確且穩定的磁性開關點。電路設計提供內部控制用于將功率循環到霍爾元件的計時機構和模擬信號處理電路。這用于放置高電流消耗部分將電路轉換為“睡眠”模式。周期性地所需的設備由這個內部邏輯進行“被喚醒”,并且所需的評估霍爾元件的磁通量針對預定義的閾值。如果通量密度高于或低于BOP/BRP閾值那么,輸出晶體管被驅動以改變States-LY。在“睡眠”循環中輸出晶體管是鎖定在其先前狀態。該設計已在應用中進行了業務化需要擴展運行壽命電池供電的系統。ME1180的輸出晶體管將被鎖定開啟(BOP)在存在足夠強的情況下,南或面向標記的北磁場管道的側面包裝。輸出將被鎖存(BRP)在沒有磁場。

          ME1180特征

          電池供電應用的微功耗

          全極性輸出開關,具有來自磁體的北極或南極的絕對值

          低至2.5V的操作

          高靈敏度,可直接更換舌簧開關

          ME1180應用領域

          斬波穩定放大器級應用

          固態開關

          手持無線手機喚醒開關

          電池供電設備的蓋關閉傳感器

          磁鐵接近傳感器,用于低占空比應用中的磁簧開關更換

          ME1180規格書

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